RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
56
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
20.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,135.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
56
Prędkość odczytu, GB/s
5,021.4
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,135.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
855
2455
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM1333KSN-4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link