RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3179
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link