RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
29
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
28
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
1699
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link