RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2570
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link