RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
61
72
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,938.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
72
61
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,938.7
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
677
2025
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link