RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
24
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3695
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link