RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
24
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.8
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
12.5
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
17
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
21.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3695
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link