RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Porównaj
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Wynik ogólny
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Wynik ogólny
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
54
Wokół strony 54% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
54
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
10.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2646
2176
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Porównanie pamięci RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Super Talent F26UB16GH 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link