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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
比较
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB vs Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
总分
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
总分
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
54
左右 54% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
9.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
54
读取速度,GB/s
15.3
10.9
写入速度,GB/s
9.8
9.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2646
2176
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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