RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сравнить
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB против Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
-->
Средняя оценка
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Средняя оценка
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около 54% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
54
Скорость чтения, Гб/сек
15.3
10.9
Скорость записи, Гб/сек
9.8
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2646
2176
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB Сравнения RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link