RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3695
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link