RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.6
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
17
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
21.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3695
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link