RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2618
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link