RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
29
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3257
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link