RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
1617
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link