RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сравнить
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB против Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
71
Около -184% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
1,322.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
71
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,831.6
13.3
Скорость записи, Гб/сек
1,322.6
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
399
1617
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link