Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    18 left arrow 40
    Около -122% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    21.1 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    16.7 left arrow 8.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    40 left arrow 18
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 21.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.9 left arrow 16.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1789 left arrow 3286
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения