RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Comparar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Pontuação geral
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
40
Por volta de -122% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
21.1
12.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.7
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
18
Velocidade de leitura, GB/s
12.3
21.1
Velocidade de escrita, GB/s
8.9
16.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1789
3286
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
AMD R7416G2400U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link