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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
40
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.1
12.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
18
Velocidad de lectura, GB/s
12.3
21.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1789
3286
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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Kingston 9965669-032.A00G 16GB
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