RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
INTENSO 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs INTENSO 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
INTENSO 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.1
9.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
INTENSO 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
INTENSO 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2061
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
INTENSO 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
INTENSO 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link