RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
36
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2581
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link