RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
26
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2594
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link