RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
55
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
55
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
2701
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link