RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2566
2949
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
INTENSO M418039 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link