RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,378.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,670.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,378.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
861
3187
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link