RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
62
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
2,378.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,670.6
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,378.6
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
861
2204
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link