RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
62
72
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,378.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,670.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,378.6
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
861
1817
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link