RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2918
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link