RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
27
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
20
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3632
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link