RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
3257
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link