RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
43
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
2928
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link