RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
51
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
29
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2797
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link