RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
68
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
68
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1812
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link