RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
45
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
5.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
45
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
5.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2251
1535
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link