RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
45
Wokół strony 47% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
45
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2723
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link