RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston 9905711-035.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около 47% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
45
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2723
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link