RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Porównaj
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB vs SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
14900
12800
Wokół strony 1.16 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
31
28
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
12.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
14900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2601
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HB5N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link