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Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
比较
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB vs SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
总分
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
总分
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
9.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
14900
12800
左右 1.16 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
31
28
读取速度,GB/s
10.1
12.2
写入速度,GB/s
10.0
9.4
内存带宽,mbps
12800
14900
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
排名PassMark (越多越好)
2326
2601
Samsung M393B2G70DB0-CK0 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4C-RD 16GB RAM的比较
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
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