RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
39
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.8
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2635
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 99U5595-003.A00LF 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link