RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
96
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1499
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link