RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Porównaj
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
96
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.3
1,336.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
96
45
Prędkość odczytu, GB/s
2,725.2
6.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,336.0
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
438
1499
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link