RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
96
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
6.9
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.3
1,336.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
96
45
Скорость чтения, Гб/сек
2,725.2
6.9
Скорость записи, Гб/сек
1,336.0
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
438
1499
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link