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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
45
96
Por volta de -113% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6.9
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.3
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
45
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
6.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
6.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
1499
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparações de RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
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