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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
96
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
45
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
1499
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
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Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
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