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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Compara
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
96
En -113% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6.9
2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
1,336.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
96
45
Velocidad de lectura, GB/s
2,725.2
6.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,336.0
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, TBD2 V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
438
1499
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-DI 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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