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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
总分
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
差异
规格
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Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
39
左右 -34% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
29
读取速度,GB/s
13.2
14.8
写入速度,GB/s
8.2
8.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2165
2635
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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
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