RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
122
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
122
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
1411
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link