RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
122
Wokół strony 68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
9.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
5.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
122
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
5.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
1411
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link