RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
38
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
29
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2345
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link