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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
比较
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
总分
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
总分
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
14
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 -31% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
29
读取速度,GB/s
15.5
14.0
写入速度,GB/s
12.0
8.9
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2283
2345
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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