RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
39
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2165
2714
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link