RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
71
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2811
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link