RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3495
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link