RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3495
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link