RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
92
Wokół strony -207% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3495
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link