RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
92
Около -207% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3495
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link