RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Porównaj
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2366
3631
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link